Busbary

( ilość produktów: 1 )


W nowoczesnych konstrukcjach przekształtników energoelektronicznych wykorzystuje się moduły tranzystorowe IGBT pracujące z dużą częstotliwością. Podczas ich przełączania na zaciskach możliwe jest występowanie przepięć, których główną przyczyną jest indukcyjność pasożytnicza połączeń wewnętrznych przekształtnika. Szybkie zmiany dużych wartości prądu płynącego przez te połączenia wewnętrzne wynoszą obecnie od 1 do 2,5 kA/μs, i powodują indukowanie się przepięcia na zaciskach tranzystora, które musi on wytrzymać w stanie blokowania.

Przepięcia powstające w trakcie działania przekształtnika negatywnie wpływają na jego pracę i są m.in. źródłem zakłóceń elektromagnetycznych oraz mają wpływ na jakość przebiegów uzyskiwanych na wyjściu przekształtnika lub w skrajnych przypadkach mogą doprowadzić do uszkodzenia modułów IGBT.

Indukcyjności pasożytniczych połączeń nie można wyeliminować całkowicie, jednakże można obniżyć ich wartość poprzez zastosowanie niskoindukcyjnych połączeń typu busbar.

Połączenia niskoindukcyjne typu busbar wykonuje się w postaci dwóch lub więcej warstw przewodzących prąd elektryczny oddzielonych od siebie warstwą dielektryka. Korzystnym aspektem zastosowania niskoindukcyjnych laminowanych połączeń typu busbar jest obniżenie kosztów związanych z wykonaniem połączeń wewnętrznych przekształtnika poprzez usprawnienie procesu montażowego urządzenia (skrócenie czasu montażu, wysoka powtarzalność oraz eliminacja błędów) oraz eliminację lub zmniejszenie dodatkowych kondensatorów do tłumienia przepięć komutacyjnych (Snubber cap).

Rozwiązania typu busbar z powodzeniem wykorzystywane są w takich obszarach jak : Transport kolejowy, układy zasilania, źródła naturalnej energii (wiatraki), telekomunikacja, zasilanie przemysłowe, wojsko.

Strona korzysta z plików cookie w celu realizacji usług zgodnie z Polityką dotyczącą cookies. Możesz określić warunki przechowywania lub dostępu do cookie w Twojej przeglądarce.
Zamknij
pixelpixel